제품 상세 정보:
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이름: | 구리 텅스텐 합금 부분 | 모델 번호: | WCu 90/10 80/20 85/15 70/30 75/25 |
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형태: | 막대를 달고 시트로 덮습니다, 로드, 그림으로서의 플레이트, 벨소리 | 애플리케이션: | 산업 용접, 일렉트릭스 |
차원: | Dia 1-80mm | 길이: | <> |
하이 라이트: | 닦은 구리 텅스텐 합금,닦은 구리 텅스텐 플레이트,닦은 구리 텅스텐 시트 |
고급 품질과 닦은 구리 텅스텐 합금 W80Cu20 플레이트 / 시트 / 디스크
텅스텐 구리 합금 도입 :
텅스텐 구리 합금제 플레이트는 금속 텅스텐과 구리의 장점을 결합시킵니다. 그들 중에, 텅스텐은 고융점 (텅스텐 융해점이 3410 C입니다, 구리 융해점이 1080 C입니다)과 고밀도 (텅스텐 밀도가 19.25g/cm 입니다, 구리 농도가 8.92 / cm3입니다) 가집니다 ; 구리는 우수한 전도성과 열전도율을 가지고 있고 텅스텐 구리 합금 (구성이 일반적으로 WCu10에서 WCu50까지 이릅니다) 균일한 미세 구조, 고온저항, 고강도, 아크 제거 저항과 고밀도를 가지고 있습니다 ; 적당한 지중과 열전도율.
텅스텐 구리 합금 특성 :
텅스텐 구리 합금은 특징을 가지고 있습니다, 예를 들어, 좋은 열과 전기적이 전도성 있, 고온 저항 강도와 연성.
텅스텐 구리 합금 애플리케이션 :
1. 전극 재료 : WCu 불순물은 높은 경성 물질과 시트 전극의 기계가공을 방출하는데 이용됩니다. 전기적 기계가공 제품의 표면가공도는 높습니다, 정확성이 높습니다, 손실이 낮습니다.
2. 텅스텐 구리 히트 싱크는 주로 고성능, 고집적화와 높은 신뢰도와 전자 장치에서 사용됩니다. 그것은 Si, 비소화 갈륨, Al2O3과 같은 전자 재료와 조화를 이루고 방열, 지원과 보호의 역할을 수행하는 것 입니다. 요즈음, 텅스텐 구리 히트 싱크와 텅스텐 구리 패키징 재료는 넓게 고입 출력 펄스 마이크로파 관, 레이저 다이오드, 집적 회로 모듈, 전력 전자 장치, MCM, CPU와 다른 부품에서 사용되었습니다.
텅스텐 구리 합금형, 화학조성과 주요 특성 :
타입 | 구리 텅스텐 alloy(%)의 화학조성 | 저항률(CM) | 장력 strength(kg/mm2) | 견고성 | density(g/cm3) | |
W | Cu | |||||
F6002E | 60 | 균형 | <> | >=130 | >=160 | >=12.70 |
70 | <> | >=200 | >=13.80 | |||
80 | <> | >=220 | >=15.00 |
브랜드와 부정. | 화학적 components% | 물성 | ||||||
Cu |
전부의 불순물 ≤ |
W |
비중 (g/cm3) ≥ |
견고성 HB ≥ |
저항률 (uΩ·cm) ≤ |
전도성 IACS%≥ |
휨의 세기 Mpa≥ |
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CuW(50) | 50±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 11.85 | 115 | 3.2 | 54 | |
CuW(55) | 45±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 12.30 | 125 | 3.5 | 49 | |
CuW(60) | 40±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 12.75 | 140 | 3.7 | 47 | |
CuW(65) | 35±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 13.30 | 155 | 3.9 | 44 | |
CuW(70) | 30±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 13.80 | 175 | 4.1 | 42 | 790 |
CuW(75) | 25±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 14.50 | 195 | 4.5 | 38 | 885 |
CuW(80) | 20±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 15.15 | 220 | 5.0 | 34 | 980 |
CuW(85) | 15±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 15.90 | 240 | 5.7 | 30 | 1080 |
CuW(90) | 10±2.0 | 0.5 | 기본 어셈블리 언어. | 16.75 | 260 | 6.5 | 27 | 1160 |
우리는 또한 텅스텐 구리 합금 링, 플레이트, 예비품, 기타 등등을 제공합니다..
담당자: Lisa Ma
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